原子层沉积（简称 ALD）：一种精密的薄膜沉积技术，通过交替引入两种或多种反应前驱体，使其在基底表面发生自限性表面反应，从而以“逐层（接近单原子层）”的方式生长超薄且高度均匀的薄膜。常用于半导体、纳米材料、涂层与催化等领域。
/əˈtɑːmɪk ˈleɪər dɪˈpɑːzɪʃən/
Atomic layer deposition can coat complex 3D shapes evenly.
原子层沉积可以将薄膜均匀覆盖在复杂的三维结构上。
By using atomic layer deposition, researchers achieved angstrom-level control of film thickness on high-aspect-ratio trenches, improving device reliability.
通过原子层沉积，研究人员在高深宽比沟槽中实现了埃级厚度控制，从而提升了器件可靠性。
该短语由三部分构成：atomic（原子的，来自 atom，源于希腊语 atomos “不可分割的”）、layer（层，来自古英语 læġer 等相关词形，表示“铺层/层次”）、deposition（沉积/沉降，来自拉丁语 deponere “放下、置下”）。整体字面意思是“以原子层为单位的沉积”，用于强调其逐层生长与精确可控的特征。
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